Гаджеты и устройства для гиков

Технология производства силовых транзисторов General Electric на карбиде кремния едва не утекла в Китай

Технология производства силовых транзисторов General Electric на карбиде кремния едва не утекла в Китай

Защита интеллектуальной собственности в Китае — это больное место иностранных компаний. Власти обещают ужесточить наказания за кражу технологий, но до конца это явление искоренить невозможно. Впрочем, рано или поздно правосудие настигает виновных. Так и произошло с бизнесменом из Гонконга Винсманом Нга, который подговорил инженера компании General Electric украсть технологию производства силовых транзисторов. Но заработать на этом не вышло.

Источник изображения: AFP

Сообщается, что злоумышленники собирались зарегистрировать на материковой части Китая компанию по производству силовых транзисторов MOSFET на основе карбида кремния. Подобные силовые полупроводники становятся востребованными в свете электрификации автотранспорта и перехода на возобновляемые источники энергии. Электронике для этих целей нужны компоненты с высоким КПД, чему полностью отвечают MOSFET на полупроводниках с широкой запрещённой зоной и, в частности, на основе карбида кремния.

Если верить заявлению Министерства юстиции США, которое вынесло обвинение гражданину Гонконга, злоумышленники создали презентацию в PowerPoint и пытались под это дело привлечь многомиллионные инвестиции для запуска производства транзисторов. Что и когда пошло не так, не поясняется, как и не раскрывается имя сообщника в лице инженера General Electric.

Министерство юстиции присудило бизнесмену десять лет тюремного заключения и штраф в размере $250 тыс. Однако неясно, смогут ли США его задержать, поскольку Вашингтон в августе 2020 года приостановил действие своего договора об экстрадиции с Гонконгом после того, как Пекин ввёл в действие похожий закон о Национальной безопасности с требованием к Гонконгу выдавать преступников или попавших под следствие. В то же время Министерство юстиции заявило, что у него нет доказательств того, что какая-либо технология была фактически передана Китаю.

Технология производства силовых транзисторов General Electric на карбиде кремния едва не утекла в Китай

Источник изображения: Reuters

Добавим, в 2018 году ФБР запустило программу «Китайская инициатива», направленную на противодействие хищению коммерческой тайны компаниями, университетами и государственными учреждениями Китая. С тех пор, по словам агентства, каждое новое дело по этому направлению открывается в среднем каждые 10 часов. В то же время правозащитники отмечают, что большинство дел вскоре тихо закрываются и большинство из них связаны с дискриминацией по национальному признаку выходцев из азиатских стран.

Источник

Автор: Влад Кулиев
27.02.2021 (13:08)
Информер новостей
Расширение для Google Chrome
Пишите нам

Редакция: contact@supreme2.ru

Реклама: adv@supreme2.ru

Зеленые технологии

Лента новостей

Все права защищены © 2005-2021

"Supreme2.Ru" - новости для гиков

Контакты  | Policy  | Map Index

Использование любых материалов, размещенных на сайте, разрешается при условии ссылки на Supreme2.Ru. Для интернет-изданий - обязательна прямая открытая для поисковых систем гиперссылка. Ссылка должна быть размещена в независимости от полного либо частичного использования материалов. Материалы в рубрике "Новости партнеров" публикуются на правах рекламы.