Техно

Samsung начала выпуск ультрабыстрой оперативной памяти

Samsung начала выпуск ультрабыстрой оперативной памяти

Корпорация Samsung Electronics приступила к серийному производству новых чипов оперативной памяти (DRAM), предназначенных для высокопроизводительных компьютеров, информирует supreme2.ru.

Речь идет о четырехслойной DRAM-памяти HBM (High Bandwidth Memory) второго поколения. Samsung наладила массовый выпуск таких микросхем емкостью 4 Гбайт. Они обладают скоростью обмена данными с компьютерными системами в 256 Гбайт/с, что в семь раз быстрее по сравнению с 4-гигабитными чипами GDDR5.

Использование двух или четырех новых чипов оперативной памяти обеспечивает скорость обмена на уровне 512 Гбайт/с и 1 Тбайт/с соответственно, что позволит использовать решения HBM2 в суперкомпьютерах и вычислительных средах, обрабатывающих большие данные (Big Data).

Поскольку скорость обмена в пересчете на контакт HBM2 меньше — 2 Гбит/с, энергоэффективность новых микросхем Samsung в терминах отношения пропускной способности на ватт значительно выше.

В первой половине 2016 года Samsung планирует приступить к массовому производству чипов HBM2 емкостью 8 Гбайт.

Автор: Олег Писарев
23.01.2016 (14:16)
Зеленые технологии

Лента новостей

Все права защищены © 2005-2017

"Supreme2.Ru" - новости для гиков

Контакты  | Policy  | Map Index

Использование любых материалов, размещенных на сайте, разрешается при условии ссылки на Supreme2.Ru. Для интернет-изданий - обязательна прямая открытая для поисковых систем гиперссылка. Ссылка должна быть размещена в независимости от полного либо частичного использования материалов. Материалы в рубрике "Новости партнеров" публикуются на правах рекламы.