Гаджеты и устройства для гиков

TSMC выходит на тропу войны за рынок силовой электроники

TSMC выходит на тропу войны за рынок силовой электроники

Компании STMicroelectronics и TSMC объявили о сотрудничестве на ниве ускорения вывода на рынок полупроводниковых продуктов на основе нитрида галлия (GaN). Это соединение играет важнейшую роль в области высокочастотной радиоэлектроники и силовых полупроводников — без него невозможно расширение частотного диапазона и развитие электротранспорта.

Два дня назад европейский производитель полупроводников, компания STMicroelectronics, и тайваньский контрактный производитель проводников, компания TSMC, начали сотрудничать с целью массового производства широкого спектра интегрированных и дискретных продуктов на основе нитрида галлия. Разработчиком продуктов и технологии производства выступает STMicroelectronics. Этой компании со штаб-квартирой в Женеве (Швейцария) принадлежит около 6 % рынка силовых полупроводников. Она не самый крупный игрок на этом рынке, но партнёрство с TSMC поможет исправить это положение.

Для тех, кто читает эту новость, компания TSMC наверняка не нуждается в представлении. На своих линиях TSMC может наладить массовый выпуск практически любой полупроводниковой продукции в любых разумных объёмах. Жаль только, что в пресс-релизе нет информации о технологических нормах производства GaN-полупроводников и о диаметре пластин, на которых они будут выпускаться.

Для производства транзисторов и других дискретных силовых элементов это не имеет значения, но TSMC также будет выпускать силовые микросхемы на основе GaN-соединений, а для этого между 200-мм и 300-мм пластиной разница в себестоимости будет очень ощутимая. Кстати, лидер рынка силовой электроники, немецкая компания Infineon (её доля на рынке чуть меньше 20 %), завод для обработки 300-мм «силовых» пластин начала строить только в прошлом году, а до этого эксплуатировала 200-мм производство. Компания STMicroelectronics с её 6 % рынка не могла позволить себе такие затраты и вынуждена была обратиться к TSMC.

В заключение напомним, что соединение GaN относится к так называемым широкозонным полупроводникам. За счёт широкой запрещённой зоны переходные процессы в них отсутствуют. Это означает, что нет паразитного рассеивания мощности и КПД инверторов и блоков питания максимально высокие. На обычном кремнии такого не получить. Скорость переключения транзисторов на GaN в 10 раз быстрее, чем на кремнии. Высокочастотные транзисторы для радаров и 5G мощные и энергоэффективные. Солнечная энергетика, электромобили и блоки питания для всевозможной электроники ждут GaN-продукты как манну небесную.

TSMC выходит на тропу войны за рынок силовой электроники

Крупнейшие в мире производители силовых полупроводников

Транзисторы на основе нитрида галлия компания TSMC начнёт отгружать STMicroelectronics ближе к концу года, а силовые микросхемы пойдут раньше ― через несколько месяцев.

Источник

Автор: Влад Кулиев
22.02.2020 (18:58)
Информер новостей
Расширение для Google Chrome
Пишите нам

Редакция: contact@supreme2.ru

Реклама: adv@supreme2.ru

Зеленые технологии

Лента новостей

Все права защищены © 2005-2024

"Supreme2.Ru" - новости для гиков

Контакты  | Policy  | Map Index

Использование любых материалов, размещенных на сайте, разрешается при условии ссылки на Supreme2.Ru. Для интернет-изданий - обязательна прямая открытая для поисковых систем гиперссылка. Ссылка должна быть размещена в независимости от полного либо частичного использования материалов. Материалы в рубрике "Новости партнеров" публикуются на правах рекламы.