19-нанометровая NAND-память от Toshiba
Компания Toshiba представила подробный доклад о своей работе над модернизацией NAND-памяти. Так, на выставке CES-2013 была показана 300-миллиметровая площадка, на которой разместилось 128 Гбит памяти. Для ее производства был использован 19-нанометровый технологический процесс, а в каждой ячейке памяти может храниться 3 бита информации.
Специалисты компании рассказали о том, как им удалось снизить до минимума взаимное влияние ячеек памяти, которые расположены очень близко друг от друга. Для этой цели ими была использована система плавающих затворов с воздушными зазорами. Это помогло существенно снизить помехи и повысить надежность чипа в целом. К сожалению, новые чипы обладают меньшим количеством циклов перезаписи (в 10 раз меньше), что вряд ли позволит новой памяти быть использованной в серьезных устройствах. Скорее всего, максимальное распространение она получит во всевозможных флешках и другой подобной продукции, не требующей высокой степени надежности.
Собрались в командировку и не знаете где лучше купить билеты? Что ж, билеты в Подгорицу быстрее и проще всего заказать непосредственно на сайте компании "Charter Center", где их стоимость еще и окажется значительно ниже, чем в обычных кассах.
Читайте также
- Xiaomi представила маршрутизатор Redmi Router AX5400 с чипом Qualcomm
- Western Digital повысила цены на флеш-память NAND — это следствие загрязнения производства в январе
- 4 вида вооружения, которые отправили в Европу из-за Украины, но никогда не испытывали в деле
- Twitter позволит вешать ярлыки на ботов, чтобы люди могли отличать их от живых пользователей
- Найдена загадочная "невидимая" черная дыра: космическая аномалия
- Новая статья: Обзор игрового 4K-монитора ASUS TUF Gaming VG28UQL1A: лучше поздно, чем никогда
