За использование FinFET-транзисторов Samsung должна уплатить штраф в $400 млн
По данным источников, в Федеральном суде Техаса жюри присяжных вынесло вердикт о виновности компании Samsung в патентом споре с южнокорейским институтом KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology). Американское подразделение KAIST IP со штаб-квартирой в Далласе подало иск против Samsung о нарушении правил лицензирования передовых технологий. В частности, Samsung якобы незаконно воспользовалась разработками института в области создания вертикальных затворов транзисторов (FinFET).
Структура типичного FinFET транзистора (WikiChip)
По мнению жюри, Samsung незаконно и умышленно использовала разработки KAIST, за что должна выплатить институту $400 млн. Вместе с Samsung первоначально обвинения были выдвинуты против компаний GlobalFoundries и Qualcomm. Первая была виновна в лицензировании технологии производства с использованием FinFET у компании Samsung, а вторая заказывала продукцию у южнокорейского полупроводникового гиганта. По мнению жюри, GlobalFoundries и Qualcomm в данном случае считаются невиновными.
Иск против Samsung был подан в декабре 2016 года. Представители института заявляли, что Samsung в своё время считала технологию FinFET пустой тратой времени и заинтересовалась ею только тогда, когда компания Intel запатентовала собственные разработки в этой области и начала распространять лицензии на использование вертикальных транзисторных структур.
https://ru.wikipedia.org
Нам всё это кажется высосанным из пальца, поскольку технологиями FinFET плотно занимались все производители ещё с начала «нулевых» годов. Так, одной из первых опытный выпуск FinFET-структур в 2002 году начала компания AMD на базе центра Калифорнийского университета в Беркли (привет из прошлого компании GlobalFoundries). В этом же году на конференции IEDM о FinFET-транзисторах из трёх рёбер рассказала компания Intel, а IBM сделала доклад на тему вертикальных транзисторных каналов. Компания TSMC также с группой учёных в том же Калифорнийском университете создавала свои FinFET-структуры. Компания Samsung позже включилась в этот процесс, но она активно работала с исследователями IBM, и ей не нужны были разработки KAIST. Собственно, Samsung собирается подать апелляцию на судебное решение, принятое в Техасе.
Читайте также
- Xiaomi представила маршрутизатор Redmi Router AX5400 с чипом Qualcomm
- Western Digital повысила цены на флеш-память NAND — это следствие загрязнения производства в январе
- 4 вида вооружения, которые отправили в Европу из-за Украины, но никогда не испытывали в деле
- Twitter позволит вешать ярлыки на ботов, чтобы люди могли отличать их от живых пользователей
- Найдена загадочная "невидимая" черная дыра: космическая аномалия
- Новая статья: Обзор игрового 4K-монитора ASUS TUF Gaming VG28UQL1A: лучше поздно, чем никогда
